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Beschreibung
DRAM is a type of RAM (random access memory) used as the main memory in several computing devices, such as desktop and notebook computers, servers, and high-end workstations. It is the most widely used semiconductor memory used in current generation computers, and offers several significant advantages, such as structural simplicity, very high packing densities (number of bytes that can be stored per unit of chip area), low power consumption, and sufficiently high data read/write speeds. Several types of DRAM are presently available for deployment on various computing platforms, such as home/personal computers, portable computers, and network servers. This type of memory has undergone several innovative technological developments and offers very high price/performance ratios.
Spezifikationen
Features
| CAS-Latenz | 11 |
| ECC | Yes |
| Gepufferter Speichertyp | Registered (buffered) |
| Interner Speicher | 4 GB |
| Interner Speichertyp | DDR3 |
| SPD-Profil | Yes |
| Speicherformfaktor | 240-pin DIMM |
| Speicherlayout (Module x Größe) | 1 x 4 GB |
| Speicherspannung | 1.5 V |
| Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Other features
| Chips-Organisation | 512Mx72 |
Vendor information
| Brand Name | Samsung |
| Warranty | 1 |
Artikeldetails
2026-04-02
Überholt
Technische Daten
- ECC
- Yes
- Speicherformfaktor
- 240-pin DIMM
- Speicherspannung
- 1.5 V
- Gepufferter Speichertyp
- Registered (buffered)
- CAS-Latenz
- 11
- Interner Speichertyp
- DDR3
- Speicherlayout (Module x Größe)
- 1 x 4 GB
- Speichertaktfrequenz
- 1600 MHz
- Brand Name
- Samsung
- Warranty
- 1
- Interner Speicher
- 4 GB
- SPD-Profil
- Yes
- Chips-Organisation
- 512Mx72
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- M393B5270DH0-CK0-RFB
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