015G4590

Marque: Danfoss

015G4590

Aero RA click, BIS
31,5 CHF TTC
29,1 CHF HT
Détails 015G4590
Sera commandé pour vous
ST3450857SS _ RFB

Référence: ST3450857SS

Marque: Seagate

ST3450857SS _ RFB

Seagate Cheetah 450GB 3.5, 450 Go, 15000 tr/min, 16 Mo, 3.5", SAS
240,0 CHF TTC
222,0 CHF HT
Détails ST3450857SS _ RFB
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AS-HK1

Marque: asustor

AS-HK1

M.2 Heatsinks for Flashstor (FS67/FS68) and AS-T10G3
65,2 CHF TTC
60,3 CHF HT
Détails AS-HK1
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L0H17A

Référence: 1045118

Marque: HP

L0H17A

HP Bac à papier LaserJet 550 feuilles, Bac à papier, HP, LaserJet Enterprise M607dn, 607n, 608n, 608dn, 608x, 609x, 609dn, 550 feuilles, Blanc, Chine
345,8 CHF TTC
319,9 CHF HT
Détails L0H17A
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MZ-V9S2T0BW
  • MZ-V9S2T0BW

MZ-V9S2T0BW - W129020727

W129020727
Samsung

Samsung MZ-V9S2T0, 2 To, M.2, 7150 Mo/s

355,9 CHF
TTC
329,2 CHF HT
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496 Produits

Description
Une vitesse spectaculaire tous les jours
Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.

Restez au frais même avec des performances fulgurantes
Une puissance constante, des performances plus efficaces. Grâce au contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus a une performance par watt de 73% supérieure au modèle précédent.

Maxi stockage. Maxi vitesse.
Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.

Logiciel Samsung Magician
Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performance
Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.

Efficacité énergétique
La performance par watt est améliorée de 73% comparée au modèle précédent, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Polyvalence
Jusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

Samsung MZ-V9S2T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7150 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s, composant pour: PC
Capacité du Solid State Drive (SSD)2 To
Facteur de forme SSDM.2
InterfacePCI Express 4.0
NVMeOui
Type de mémoireV-NAND TLC
composant pourPC
Le chiffrement matérielOui
Version NVMe2.0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture7150 Mo/s
Vitesse d'écriture6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)1350000 IOPS
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h
Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation électrique moyenne (lecture)4,6 W
Consommation électrique moyenne (écriture)4,2 W
Largeur80,2 mm
Profondeur2,38 mm
Hauteur22,1 mm
Poids9 g
Température d'opération0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement1500 G
Détails du produit
W129020727
496 Produits
Neuf

Fiche technique

Capacité du Solid State Drive (SSD)
2 To
Facteur de forme SSD
M.2
Interface
PCI Express 4.0
NVMe
Oui
composant pour
PC
Poids
9 g
Tension de fonctionnement
3,3 V
Largeur
80,2 mm
Hauteur
22,1 mm
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Profondeur
2,38 mm
Type de mémoire
V-NAND TLC
Température d'opération
0 - 70 °C
Vitesse de lecture
7150 Mo/s
Vitesse d'écriture
6300 Mo/s
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Lecture aléatoire (4KB)
850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1350000 IOPS
Le chiffrement matériel
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Version NVMe
2.0
Consommation électrique moyenne (lecture)
4,6 W
Consommation électrique moyenne (écriture)
4,2 W

Références spécifiques

UPC
887276843681
EAN13
0887276843681
MPN
MZ-V9S2T0BW
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