Marque: Danfoss

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Aero RA click, BIS
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M393B1G73QH0-CMA-RFB

8GB DDR3, 1866MHz, 240-pin DIMM, CL13, 1.5V
26,2 CHF
TTC
24,2 CHF HT
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Description
Boost your PC’s performance to new levels.
You need the right expert for the right PC memory solution.
Samsung is a leader in the DRAM market, with our DRAM being selected by most OEMs for many years.
Embrace the cutting-edge Samsung DDR4 to take your PC to a new dimension of high speed and low energy performance.

Improved bandwidth for high-end applications.
With PC applications becoming more critical and complex, personal computing has set its toughest demands yet. PCs today need to provide exceptional speed to deliver the performance required.

Samsung 2xnm DDR4 UDIMM and SODIMM enable initial bandwidth of 2,400 Mbps, which can achieve up to the JEDEC-defined 3,200 Mbps. DDR4 has 2 times higher bandwidth than DDR3.

Complete multi-tasking with less energy.
Consumers want to be able to rely on excellent battery power to complete their tasks. Samsung PC DRAM provides longer time unplugged through lower power consumption. This enables extended battery life for notebooks while maintaining high performance.

Samsung DDR4 SODIMM and UDIMM consume less power with their unique 2xnm technology. Samsung’s 2xnm DDR4 operating at 1.2V achieves approximately 26% higher performance/watt compared to 2xnm DDR3 operating at 1.5V.

Samsung also provides 2xnm LPDDR4 operating at 1.1V, achieving 37% increase in power efficiency than 2xnm LPDDR3 operating at 1.2V.

Double your capacity with the world’s 1st 8Gb chips.
The advancement in density has enabled Samsung to offer bigger capacity DRAM, delivering the faster data transmission speed that devices require today. PCs can benefit from high density DRAM by using fewer DRAM components, which leads to space saving.

Samsung DDR4 UDIMM can achieve the max capacity of 128GB using the world’s 1st 8Gb chips, which is 2 times bigger than that of DDR3’s 64GB made of 4Gb chips.

Spécifications

Caractéristiques

composant pourPC/serveur
Configuration de module1024M x 72
Conformité RoHSOui
Disposition de la mémoire (modules x dimensions)1 x 8 Go
ECCOui
Fréquence de la mémoire1866 MHz
Latence CAS13
Mémoire de tension1.5 V
Mémoire interne8 Go
Refresh row cycle time (TRFC)13 ns
Sans halogeneOui
Support de mémoire240-pin DIMM
Temps du cycle de la ligne (TRC)13 ns
Type de mémoire interneDDR3
Type de mémoire mise en cacheRegistered (buffered)

Conditions environnementales

Température d'opération0 - 85 °C

Détails techniques

Certificats de conformitéRoHS
Certificats de durabilitéRoHS
Ne contient pasHalogène

Vendor information

Brand NameSamsung
Warranty1
Détails du produit
2025-11-27
Reconditionné

Fiche technique

ECC
Yes
speicherformfaktor
240-pin DIMM
speicherspannung
1.5 V
Compliance certificates
RoHS
Nachhaltigkeitszertifikate
RoHS
Gepufferter Speichertyp
Registered (buffered)
CAS-Latenz
13
Modulkonfiguration
1024M x 72
Halogen frei
Yes
Enthält nicht
Halogen
Interner Speichertyp
DDR3
Speicherlayout (Module x Größe)
1 x 8 GB
Speichertaktfrequenz
1866 MHz
RoHS-Konformität
Yes
Brand Name
Samsung
Warranty
1
Komponente für
PC/Server
Betriebstemperatur (TT)
0 - 85 °C
Interner Speicher
8 GB
Zeilenzykluszeit
13 ns
Zeilenzykluszeit aktualisieren
13 ns

Références spécifiques

ISBN
978-1-23456-789-0
EAN13
5704174178088
MPN
M393B1G73QH0-CMA-RFB
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