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Description
Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 5100 Mo/s, composant pour: PC/ordinateur portable
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 2 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND MLC |
| composant pour | PC/ordinateur portable |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Version NVMe | 1.3c |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Vitesse de lecture | 7000 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 5100 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 1000000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 1000000 IOPS |
| Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation (max) | 7,2 W |
| Consommation d'énergie (moyenne) | 6,1 W |
| Consommation d'énergie (mode veille) | 0,035 W |
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 2,38 mm |
| Hauteur | 22,1 mm |
| Poids | 9 g |
| Type d'emballage | Boîte |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
| Code du système harmonisé | 84717070 |
Détails du produit
18 Produits
Neuf
Fiche technique
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 2 To
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Interface
- PCI Express 4.0
- NVMe
- Oui
- composant pour
- PC/ordinateur portable
- Type d'emballage
- Boîte
- Poids
- 9 g
- Code du système harmonisé
- 84717070
- Tension de fonctionnement
- 3,3 V
- Largeur
- 80,2 mm
- Hauteur
- 22,1 mm
- Profondeur
- 2,38 mm
- Type de mémoire
- V-NAND MLC
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Vitesse de lecture
- 7000 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 5100 Mo/s
- Consommation d'énergie (mode veille)
- 0,035 W
- Consommation (max)
- 7,2 W
- Flux de données d'interface PCI Express
- x4
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Température maximale de fonctionnement
- 70 °C
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Choc durant le fonctionnement
- 1500 G
- Lecture aléatoire (4KB)
- 1000000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB)
- 1000000 IOPS
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Température minimale de fonctionnement
- 0 °C
- Support TRIM
- Oui
- Consommation d'énergie (moyenne)
- 6,1 W
- Version NVMe
- 1.3c
Références spécifiques
- EAN13
- 8806090696534
- MPN
- MZ-V8P2T0BW
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Samsung MZ-V8P2T0BW, 2 To, M.2, 7000 Mo/s