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MZ-V6E500BW-RFB

Samsung

Samsung 960 EVO, 500 Go, M.2, 3200 Mo/s

249,71 CHF
TTC
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Sera commandé pour vous

Description
Samsung 960 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 500 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 3200 Mo/s, Vitesse d'écriture: 1800 Mo/s, composant pour: Ordinateur portable
Capacité du Solid State Drive (SSD)500 Go
Facteur de forme SSDM.2
InterfacePCI Express 2.0
NVMeOui
Type de mémoireV-NAND
composant pourOrdinateur portable
Le chiffrement matérielOui
Version NVMe1.2
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Vitesse de lecture3200 Mo/s
Vitesse d'écriture1800 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)330000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)330000 IOPS
Type de contrôleurSamsung Polaris
Flux de données d'interface PCI Expressx4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h
Fonctions de protectionRésistant aux chocs
Prise en charge du système d'exploitation WindowsOui
Prise en charge du système d'exploitation MacOui
Prise en charge du système d'exploitation LinuxOui
Consommation d'énergie (moyenne)5,4 W
Largeur80,2 mm
Profondeur22,1 mm
Hauteur2,38 mm
Poids8 g
Guide de démarrage rapideOui
Type d'emballageBoîte
Température d'opération0 - 70 °C
Température hors fonctionnement-40 - 85 °C
Humidité relative de fonctionnement (H-H)5 - 95%
Taux d'humidité relative (stockage)5 - 95%
Choc durant le fonctionnement1500 G
Choc hors fonctionnement1500 G
Détails du produit
Reconditionné

Fiche technique

Prise en charge du système d'exploitation Windows
Oui
Capacité du Solid State Drive (SSD)
500 Go
Facteur de forme SSD
M.2
Interface
PCI Express 2.0
NVMe
Oui
composant pour
Ordinateur portable
Type d'emballage
Boîte
Poids
8 g
Largeur
80,2 mm
Hauteur
2,38 mm
Profondeur
22,1 mm
Type de mémoire
V-NAND
Prise en charge du système d'exploitation Mac
Oui
Prise en charge du système d'exploitation Linux
Oui
Température d'opération
0 - 70 °C
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95%
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Vitesse de lecture
3200 Mo/s
Vitesse d'écriture
1800 Mo/s
Guide de démarrage rapide
Oui
Fonctions de protection
Résistant aux chocs
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Lecture aléatoire (4KB)
330000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
330000 IOPS
Le chiffrement matériel
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Choc hors fonctionnement
1500 G
Support TRIM
Oui
Consommation d'énergie (moyenne)
5,4 W
Version NVMe
1.2
Type de contrôleur
Samsung Polaris
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui

Références spécifiques

EAN-13
5706998783783
MPN
MZ-V6E500BW-RFB
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