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234,6 CHF
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Description
Transcend's MTE652T M.2 SSD features the PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 interface and is compatible with NVM Express (NVMe) 1.3 specifications to achieve never-before-seen transfer speeds. The MTE652T features state-of-the-art 3D NAND technology, which allows 96 layers of 3D NAND flash chips to be vertically stacked. Compared to 3D NAND at 64 layers, this density breakthrough greatly improves storage efficiency. The MTE652T is built with DRAM cache for fast access, and is fully tested in-house to guarantee reliability in mission-critical applications, boasting an endurance rating of 3K Program/Erase cycles.
Transcend also offers the MTE652T-I with wide temperature (-40℃ ~ 85℃) capabilities to ensure sustained functionality, enhanced endurance and optimal reliability in mission-critical applications.
Transcend also offers the MTE652T-I with wide temperature (-40℃ ~ 85℃) capabilities to ensure sustained functionality, enhanced endurance and optimal reliability in mission-critical applications.
- DRAM Cache embedded
- Endurance: 3K P/E cycles (Program/Erase cycles) guaranteed
- Wide-temperature model available: promised operational reliability in a wide temperature range (from -40℃ to 85℃)
- PCIe Gen 3 x4 interface
- Key components fortified with baked-in Corner Bond process
- Compliant with PCI Express specification 3.1
- Compliant with NVM Express specification 1.3
- Supports NVM command
- SLC caching technology
- Built-in LDPC ECC (Error Correction Code) functionality
- Dynamic thermal throttling
- Compliant with RoHS 2.0 standards
- Supports Transcend SSD Scope Pro software
Spécifications
Autres caractéristiques
| Certificats de conformité | RoHS |
Caractéristiques
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 256 Go |
| Certification | CE/FCC/BSMI |
| Classe TBW | 1080 |
| composant pour | PC/ordinateur portable |
| ECC | Oui |
| Écriture aléatoire (4KB) | 290000 IOPS |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| ID de clé M.2 | M |
| Interface | PCI Express 3.1 |
| Le chiffrement matériel | Non |
| Lecture aléatoire (4KB) | 190000 IOPS |
| NVMe | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 3000000 h |
| Type de mémoire | 3D TLC NAND |
| Version NVMe | 1.3 |
| Vitesse d'écriture | 1000 Mo/s |
| Vitesse de lecture | 2100 Mo/s |
Conditions environnementales
| Choc durant le fonctionnement | 1,5 kg |
| Humidité relative de fonctionnement (H-H) | 5 - 95 % |
| Température d'opération | -40 - 85 °C |
| Température hors fonctionnement | -40 - 85 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 85 °C |
| Température minimale de fonctionnement | -40 °C |
| Vibrations en fonctionnement | 20 G |
Puissance
| Consommation d 'énergie (en mode veille) | 0,6 W |
| Consommation d'énergie (moyenne) | 3,3 W |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
Vendor information
| Brand Name | Transcend |
| Warranty | 1 |
Détails du produit
1 Article
Neuf
Fiche technique
- NVMe
- Yes
- ECC
- Yes
- Classe TBW
- 1080
- ID de clé M.2
- M
- Mean time between failures (MTBF)
- 3000000 h
- Compliance certificates
- RoHS
- Zertifizierung
- CE/FCC/BSMI
- Lesegeschwindigkeit
- 2100 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit
- 1000 MB/s
- Speichertyp
- 3D TLC NAND
- SSD-Formfaktor
- M.2
- SSD-Kapazität
- 256 GB
- Zufälliges Lesen (4KB)
- 190000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4 KB)
- 290000 IOPS
- Betriebsspannung
- 3.3 V
- Hardwareverschlüsselung
- No
- Betriebsvibration
- 20 G
- Betriebsschock
- 1.5 kg
- Maximum Betriebstemperatur
- 85 °C
- Minimale Betriebstemperatur
- -40 °C
- NVMe-Version
- 1.3
- Stromverbrauch (Durchschnitt)
- 3.3 W
- Schnittstelle
- PCI Express 3.1
- Brand Name
- Transcend
- Warranty
- 1
- Komponente für
- PC/Laptop
- Betriebstemperatur (TT)
- -40 - 85 °C
- Lagertemperatur (TT)
- -40 - 85 °C
- Relative Luftfeuchtigkeit im Betrieb (HH)
- 5 - 95 %
- Stromverbrauch (Ruhezustand)
- 0.6 W
Références spécifiques
- MPN
- TS256GMTE652T-I
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